在短短不到一年半的時間內，海力士與意法半導體所合資的8吋及12吋晶圓廠陸續峻工投產，除為因應2007年記憶體市場需求做好準備外，更為雙方在中國大陸市場的發展奠下厚實根基。
由海力士半導體(Hynix Semiconductor)與意法半導體(STMicroelectronics)所共同合資設立的海力士-意法半導體(Hynix-ST)，日前為其在中國大陸江蘇省無錫市所建立的12吋晶圓廠(C2 Fab)舉行峻工投產典禮(圖1)，未來將投入DRAM與NAND快閃記憶體的生產製造。不僅成為繼中芯半導體之後，中國大陸第二座12吋晶圓廠，更將為雙方帶來最大的經濟效益，有助拓展中國大陸市場。
由於此一合資計畫金額高達20億美元，因此受到中國大陸政府當局的高度重視，包括中國大陸國家發展改革委員會、信息產業部、江蘇省，以及無錫市等政府單位高層均親臨典禮現場致賀。
海力士半導體董事長暨執行長禹義濟(Woo Eui-Jei)(圖2)在典禮致詞時也大力感謝相關政府單位的支持。他表示，在中國大陸政府全力配合下，使得Hynix-ST在工廠建設與相關設備通關作業的速度大幅提升，讓新廠房從奠基到完工只耗費不到一年半的時間，相較於一般晶圓廠約需兩年的建廠時間縮短三分之一以上，進而加快未來產品上市的速度。
意法半導體總裁暨執行長Carlo Bozotti(圖3)則指出，海力士與意法的合作，是韓國與歐洲半導體產業合作上的重要里程碑，他表示，在雙方互信基礎下，不僅已成功研發出最新的 NAND快閃記憶體技術，同時也讓這塊原本一無所有的土地，快速轉變成為中國大陸擁有先進技術及設備的晶圓廠，是海力士、意法與中國大陸當局共同的驕傲。
Hynix再添12吋廠產能
ST取得低成本記憶體來源
事實上，雙方的合作關係，最早可溯及至2003年海力士與意法宣布合作進入快速成長的NAND快閃記憶體市場，共同投入製程與產品技術的研發。2004年11月，雙方正式簽訂合作契約，決定於無錫建造新的晶圓廠，進一步擴大合作範圍。
對海力士而言，此一計畫最直接的助益，即在於12吋晶圓廠產能的提升。目前海力士主要的12吋產能來源，包括其位於韓國利川(Icheon)、由8吋廠升級而成的第一座12吋晶圓廠M10，以及與台灣茂德(ProMOS)合作所取得的12吋廠代工產能，相較於三星(Samsung)與近來積極加碼擴廠的台灣DRAM業者，其12吋產能比重仍舊偏低，而無錫的新晶圓廠，將可進一步擴大其12吋廠產能。
根據最新的iSuppli市場研究資料顯示，海力士目前的全球市占率為47%，且在中國大陸市場的DRAM銷售量更排名第一。無錫晶圓廠的峻工投產，將為該公司繼位在美國奧勒岡州尤金(Eugene)市的晶圓廠外，再添一座全球性的製造據點。
事實上，原本海力士已計畫在其利川廠區投資興建新的12吋晶圓廠，但遭韓國政府以利川為自然保護區為由而駁回，因此也讓外界對於其選擇無錫設廠的原因產生聯想。
對此，禹義濟強調，海力士在無錫設廠與利川建廠受阻無關，況且韓國政府也已計畫透過修法的方式，重新審理利川新晶圓廠計畫。他指出，選擇無錫純粹基於布局中國大陸市場的考量，不僅可節省許多建廠成本，並擁有一座最佳成本效益的12吋廠，來維持其在中國大陸市場的領先地位。同時，選擇在韓國以外的地區製造，也較在韓國本地製造，節省更多的出口稅額，可降低整體的生產成本。
至於合資新廠對於意法半導體的最大效益，則是取得低成本的記憶體產品來源，以做為其發展系統級封裝(System in Package, SiP)產品的最大利基。Bozotti指出，無錫晶圓廠將加速意法半導體在NAND快閃記憶體市場的成長，同時也可取得高功能且具成本競爭力的記憶體解決方案，並利用堆疊封裝技術，提升意法半導體在多重晶片封裝(Multi-chip Package, MCP)與SiP產品發展的競爭優勢。
除此之外，此次合作，對意法半導體全球市場的發展，亦具有深遠的意義。Bozotti進一步表示，該公司現階段有兩大主要目標，其一是成為全球電源IC市場首屆一指的領導品牌，其二則是在多媒體匯聚潮流發展下，成為市場上可提供一次購足(One-stop-shopping)服務的供應商，特別是在無線通訊與嵌入式系統的記憶體解決方案。
為達此一目標，意法半導體擬定了幾項策略，其中即包括與海力士合作投入NAND快閃記憶體的研發與記憶體晶圓廠的興建。Bozotti分析，雙方的合作不僅可共同分擔先進技術研發與產品製造的成本，也將加速整體產品上市與大量生產的時程。此外，他也強調，該公司約有50%的營收來自亞洲市場，而中國大陸更占一半比重，顯示此一市場的重要性。藉由此次的合作，意法半導體將可在快速成長的中國大陸市場打下更深的根基，進一步穩固其全球地位。
而對於市場傳言，意法半導體將要跨入DRAM生產，甚至收購海利士股分，對此，Bozotti則回應，意法半導體將不會自行生產DRAM產品，並且沒有任何收購海力士股分的想法。
投產以DRAM為主
雙方依持股比例分享產能
此一新廠區占地共55萬平方公尺，共有一座8吋廠(C1 Fab)及一座12吋廠，分別於2006年7月及10月開始量產。目前製造DRAM的生產線，8吋廠是採用110奈米及90奈米製程，12吋廠則是採用80奈米製程(表1)。
自2005年4月開工動土，到2006年7月投產，整座廠從無到有，甚至進入量產，僅耗時不到一年半的時間，關鍵原因除了無錫市政府與海關單位的通力協助外，海力士也將其韓國的部分機台移植過來，以便讓晶圓廠可提前進入正常運作。禹義濟表示，將該公司位於利川的8吋晶圓廠移植到無錫廠，即在原本長遠計畫中，韓國政府並沒任何反對的意見，如此作法，將有助無錫廠可在初期，以最短的速度達成量產，而未來，投資經費中將有一大部分比重會用於新設備的購置。
Hynix-ST C2製造廠課長章熙岭也表示，今年3、4月間，幾乎是一邊建設廠房，一邊組裝設備，在全體員工眾志成城下，3個內即突破月產能5萬片的目標。如今，12吋廠也已投入生產，並達到90%以上的生產良率。
目前8吋廠月產能已達5萬片，12吋廠月產能則為1.8萬片。預計2007年中，除現有DRAM生產線外，也將採用先進製程開始生產NAND快閃記憶體。對於未來產能的分配，Bozotti表示，將會依照雙方股本比例分配，意即意法半導體與海力士分別占有三分之一與三分之二的比例。至於後段封測作業，目前將使用意法半導體既有的封測廠進行。
Hynix-ST表示，目前廠區中還有一塊12吋廠的預備用地，預計將於2007年1月分開始裝機，5月分即可投產，屆時無錫廠12吋產能將可擴大一倍以上。
Hynix-ST無錫晶圓廠正式運作後
意法半導體中國布局更形完備
自1980年代中期，意法半導體於北京設立首座辦公室以來，已逐步在中國大陸建立起完整的業務與行銷組織，以及重要的製造、設計及研發中心。現今，該公司在大中國的組織共有約4,500位員工，其中有1,000多位專職於設計、應用支援與業務行銷。
1999年開始，意法半導體在中國大陸的銷售表現開始快速成長，在全球半導體市場每年僅以7%的高個位數成長的同時，該公司在中國大陸市場的年複合成長率高達31%，同時也優於中國大陸半導體市場24%的成長率。
在Hynix-ST無錫晶圓廠開始運作後，意法半導體在中國大陸的布局將更形完備，完整涵蓋研發、設計、製造到封測各個領域(表2)。
